氮化硅的制法有以下几种： 在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应； 在1500℃时将纯硅与氨作用；

在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。
氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。

氮化硅陶瓷具有高强度、耐高温的特点，在陶瓷材料中其综合力学性能好，耐热震性能、化性能、耐磨损性能、耐蚀性能好，是热机部件用陶瓷的候选材料。
在机械工业，氮化硅陶瓷用作轴承滚珠、滚柱、滚球座圈、工模具、新型具、泵柱塞、心轴 密封材料等。

近年来，拉萨废耐火砖，半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。
半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素，而绝缘基板的导热性是影响整体半导体器件散热的关键。
此外，废耐火砖长年回收，在电动汽车、高铁等领域，半导体器件使用过程中往往要面临颠簸、震动等复杂的力学环境，这对所用材料的力学可靠性提出了严苛的要求。
氮化硅（Si3N4）陶瓷是综合性能好的结构陶瓷材料。

Si3N4陶瓷及其性能特点

Si3N4具有3种结晶结构，分别是α相、β相和γ相。
其中α相和β相是Si3N4常见的形态，均为六方结构。
Si3N4陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能，是综合性能好的结构陶瓷材料。
与其他陶瓷材料相比，Si3N4陶瓷材料具有明显优势，尤其是在高温条件下氮化硅陶瓷材料表现出的耐高温性能、对金属的化学惰性、超高的硬度和断裂韧性等力学性能。
可以看出，Si3N4陶瓷的抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的2倍以上，特别是在材料可靠性上，Si3N4陶瓷具有其他二者无法比拟的优势。

相对分子质量140.28。
灰色、白色或灰白色。
属高温难溶化合物，无熔点，废耐火砖回收，抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上；六方晶系。
晶体呈六面体。
反应烧结法制得的Si3N4密度为1.8~2.7g/cm3，废耐火砖大量回收，热压法制得Si3N4密度为3.12~3.22g/cm3。
莫氏硬度9~9.5，维氏硬度约为2200，显微硬度为32630MPa。
熔点1900℃（加压下）。
通常在常压下1900℃左右分解。
比热容0.71J/(g·K)。
生成热为-751.57kJ/mol。
热导率为（2-155）W/(m·K)。
线膨胀系数为2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。
不溶于水。
溶于。
在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。
比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m，500℃时为4×108 ·m。
弹性模量为28420~46060MPa。
耐压强度为490MPa（反应烧结的）。
1285℃时与二氮化二钙反应生成二氮硅化钙，600℃时使过渡金属还原，放出氮氧化物。
抗弯强度为147MPa。
可由硅粉在氮气中加热或卤化硅与氨反应而制得。
电阻率在10^15-10^16Ω.cm。
可用作高温陶瓷原料。

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